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選擇性鈦蝕刻液( Selective Ti etching chemical)
After our Cu and Ti etching, the undercut < 0.2um when the pitch
is 5 um!
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選擇性銅蝕刻液 ( Selective Cu etching chemical)
1. 只針對Cu layer進行所需之蝕刻,不傷錫合金, 鈦, 鋁,鎳等金屬, 。 2. 適用於IC substrate的Cu
seed layer及wafer Cu UBM層 3. 藥水蝕刻速率穩定性高 4. 低側蝕(undercut)
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非氫氟酸base之玻璃(石英)蝕刻液
專門用來取代氫氟酸的酸性玻璃蝕刻液，為中弱酸性系統中的玻璃蝕刻液。不會攻擊與分解乾、溼光阻。室溫下蝕刻玻璃速率約與15~20%HF相同，對石英玻璃或矽晶圓材質蝕刻時，不會產生晶界腐蝕現象，能得到高度平滑、光亮的蝕刻表面。
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